MOS管

MOS管（MOSFET，金属-氧化物半导体场效应晶体管）是场效应管的一种，场效应管分结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。因为它的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。

MOS管主要有四种类型，N沟耗尽型N沟增强型、P沟耗尽型以及P沟增强型。

有的MOS管内部还会有个二极管，这就是体二极管，也可叫作寄生二极管、续流二极管。

体二极管的作用：

一是防止在VDD过压的情况下，烧坏MOS管，即在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

二是防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，同时可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。

总之，MOS管具有阻抗高、热稳定性好、开关速度快等特性，在电路中主要用作放大器、电子开关、镇流器、通信电源等。

IGBT管

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管），是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

IGBT管主要有N型IGBT和P型IGBT两种类型。

不过，IGBT是一种新型电子半导体器件，却没有统一的电路符号，绘制相关原理图时一般借用MOS管或三极管的符号，这样就可以从原理图上通过标注的型号对MOS管和IGBT管进行判断区分。

另外，需要注意IGBT是否有体二极管，原理图上没有标注并不代表没有，除非有资料特别说明体二极管不存在，否则体二极管都是存在的。IGBT内部的体二极管并非寄生的，目的是为了保护IGBT脆弱的反向耐压，又称为FWD（续流二极管）。

IGBT具有输入阻抗高、耐高压、控制电路简单、电压控制功耗低等特点，因此应用广泛，适用于逆变器、变频器、交流电机、焊机、开关电源、电镀电解电源等。

IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。MOS管存在导通电阻高的缺点，但因为IGBT是MOS管和晶体管三极管的组合，克服了这一缺点，IGBT在高压情况下，仍具有较低的导通电阻。

相较于MOS管，IGBT的最主要优势是耐高压，大功率，一般耐压在几百V以上，功率可以达到几千到几十万W。

高压、千瓦功率以上的用IGBT，低压中小功率的环境用MOS管。